Дефіцит пам’яті продовжиться й у 2027 році, оскільки три найбільші виробники, Samsung, SK Hynix та Micron, вже завершили значну частину переговорів щодо розподілу своїх потужностей на наступний рік. Про це з посиланням на джерела галузі повідомляє DigiTimes.
Потужності для виробництва DRAM та високошвидкісної пам’яті (HBM) на 2027 рік у трьох провідних постачальників фактично повністю розподілені достроково. NAND Flash ще не настільки у дефіциті, як DRAM, але очікується, що значна частина доступної потужності на наступний рік буде зарезервована до кінця серпня 2026 року.
Джерела заявляють, що липень і серпень стали критичними місяцями для розподілу потужностей, а багато замовників уникали розголошення своїх переговорів, побоюючись посилення конкуренції. Навіть якщо офіційної угоди ще не було підписано, постачальники також вимагали авансові депозити.
Причина все та ж – розбудова інфраструктури для штучного інтелекту. SK Hynix у липні офіційно підтвердила, що має довгострокові угоди з приблизно 10 великими клієнтами, попит яких збільшується на фоні подальшого розвитку ШІ.
Попри те, що процес розподілу потужностей є більш упорядкованим, ніж раніше, багато компаній або ще геть не отримали своїх замовлень або отримали менше, ніж заявлено. За оцінками галузі, постачальники зазвичай надають лише 60–70% обсягів, спочатку запитуваних клієнтами.
Читайте також: Голова SK Hynix: 2027 рік буде “найгіршим” в плані дефіциту мікросхем пам’яті
Samsung та SK Hynix розглядають обладнання китайської AMEC, щоб убезпечити свої заводи в країні від санкцій США
